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GermanySTGB30H65DFB2
元器件型号详细信息
原厂型号
STGB30H65DFB2
摘要
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 50 A 167 W 表面贴装型 D2PAK-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
HB2
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
167 W
开关能量
270µJ（开），310µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
90 nC
25°C 时 Td（开/关）值
18.4ns/71ns
测试条件
400V，30A，6.8 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
115 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
供应商器件封装
D2PAK-3
基本产品编号
STGB30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGB30H65DFB2
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规格书
1(STGB30H65DFB2)
价格
数量: 2000
单价: $10.24423
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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