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GermanyBVSS138LT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
BVSS138LT1G
摘要
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 50 V 200mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
71 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
BVSS138
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-BVSS138LT1G-OS
BVSS138LT1GOSCT
BVSS138LT1G-ND
BVSS138LT1GOSTR
BVSS138LT1GOSDKR
ONSONSBVSS138LT1G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi BVSS138LT1G
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规格书
1(BSS138LT1 Datasheet)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(SOT23 27/Sep/2016)
PCN 组装/来源
1(Compound Qualification 23/Jun/2019)
HTML 规格书
1(BSS138LT1 Datasheet)
EDA 模型
1(BVSS138LT1G by Ultra Librarian)
价格
数量: 150000
单价: $0.36241
包装: 卷带（TR）
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