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GermanyMCB60P1200TLB-TRR
元器件型号详细信息
原厂型号
MCB60P1200TLB-TRR
摘要
MCB60P1200TLB-TRR
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 表面贴装型 9-SMPD-B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
200
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
4 N 沟道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-PowerSMD
供应商器件封装
9-SMPD-B
基本产品编号
MCB60P1200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/IXYS MCB60P1200TLB-TRR
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环保信息
1(Ixys IC REACH)
价格
-
替代型号
-