元器件型号详细信息

原厂型号
SIHG73N60E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
详情
通孔 N 通道 600 V 73A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
25

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
73A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
39 毫欧 @ 36A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
362 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7700 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
520W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHG73

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SIHG73N60E-GE3CT
SIHG73N60E-GE3CT-ND
SIHG73N60E-GE3TR
SIHG73N60EGE3
SIHG73N60E-GE3TR-ND
SIHG73N60E-GE3TRINACTIVE

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHG73N60E-GE3

相关文档

规格书
1(SIHG73N60E)
产品培训模块
1(High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN 封装
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)

价格

数量: 1000
单价: $63.7257
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $69.47546
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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