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元器件型号详细信息
原厂型号
CSD22206W
摘要
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
详情
表面贴装型 P 通道 8 V 5A（Ta） 1.7W（Ta） 9-DSBGA
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.05V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2275 pF @ 4 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
9-DSBGA
封装/外壳
9-UFBGA，DSBGA
基本产品编号
CSD22206
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
CSD22206W-ND
296-49606-6
296-49606-1
296-49606-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD22206W
相关文档
规格书
1(CSD22206W Datasheet)
特色产品
()
制造商产品页面
1(CSD22206W Specifications)
HTML 规格书
1(CSD22206W Datasheet)
EDA 模型
1(CSD22206W by SnapEDA)
价格
数量: 3000
单价: $2.22995
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $2.49309
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.11636
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $3.9424
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $5.88
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : CSD22206WT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 15,016
单价. : ¥10.41000
替代类型. : 参数等效
库存 : 15,016
单价. : ¥10.41000
替代类型. : 参数等效