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GermanySSM6P35FE(TE85L,F)
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6P35FE(TE85L,F)
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
详情
MOSFET - 阵列 20V 100mA 150mW 表面贴装型 ES6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.2pF @ 3V
功率 - 最大值
150mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
ES6
基本产品编号
SSM6P35
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SSM6P35FE(TE85LF)DKR
SSM6P35FE(TE85LF)TR
SSM6P35FE(TE85LF)CT
SSM6P35FETE85LF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE(TE85L,F)
相关文档
规格书
()
产品培训模块
1(Small Signal MOSFET)
HTML 规格书
1(Mosfets Prod Guide)
EDA 模型
1(SSM6P35FE(TE85L,F) by Ultra Librarian)
价格
数量: 1
单价: $3.5
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
-