元器件型号详细信息

原厂型号
NVB150N65S3F
摘要
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 24A(Tc) 192W D²PAK-3(TO-263-3)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 540µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
43 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1999 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
192W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK-3(TO-263-3)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
NVB150

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2832-NVB150N65S3FTR
NVB150N65S3FOSTR
NVB150N65S3FOS-ND
NVB150N65S3FOS
NVB150N65S3FOSCT
NVB150N65S3FOSDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVB150N65S3F

相关文档

规格书
1(NVB150N65S3F)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 设计/规格
1(Improve FAB Process 26/APR/2023)
PCN 封装
1(PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021)
HTML 规格书
1(NVB150N65S3F)

价格

数量: 2400
单价: $16.79082
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 1600
单价: $17.67456
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 800
单价: $20.95699
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $24.6183
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $30.049
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $33.47
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $24.6183
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $30.049
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $33.47
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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