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GermanyTPAR3G S1G
元器件型号详细信息
原厂型号
TPAR3G S1G
摘要
DIODE AVALANCHE 400V 3A TO277A
详情
二极管 400 V 3A 表面贴装型 TO-277A（SMPC）
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
400 V
电流 - 平均整流 (Io)
3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.55 V @ 3 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
120 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容
58pF @ 4V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装
TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
TPAR3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
TPAR3GS1GCT
TPAR3G S1GTR
TPAR3G S1GCT
TPAR3G S1GDKR-ND
TPAR3GS1GTR
TPAR3GS1GDKR
TPAR3G S1GTR-ND
TPAR3G S1GDKR
TPAR3G S1GCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3G S1G
相关文档
规格书
1(TPAR3D - TPAR3J)
环保信息
()
HTML 规格书
1(TPAR3D - TPAR3J)
EDA 模型
1(TPAR3G S1G by SnapEDA)
价格
数量: 6000
单价: $3.57388
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 6000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 6000
替代型号
型号 : AS3PG-M3/86A
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 6,000
单价. : ¥5.33000
替代类型. : 类似
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