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GermanyFDG6332C-F085
元器件型号详细信息
原厂型号
FDG6332C-F085
摘要
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
详情
MOSFET - 阵列 20V 700mA，600mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
700mA，600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 700mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
113pF @ 10V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88（SC-70-6）
基本产品编号
FDG6332
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
FDG6332C_F085CT-ND
FDG6332C-F085FSCT
FDG6332C_F085DKR
FDG6332C_F085FSDKR
FDG6332C_F085TR-ND
FDG6332C_F085FSTR
488-FDG6332C-F085TR
FDG6332C_F085FSTR-ND
FDG6332C_F085CT
FDG6332C-F085TR-ND
FDG6332C_F085FSCT-ND
FDG6332C_F085TR
FDG6332C_F085FSCT
FDG6332C-F085TR
FDG6332C-F085FSDKR
FDG6332C-F085FSCT-ND
FDG6332C_F085FSDKR-ND
FDG6332C_F085DKR-ND
FDG6332CF085
488-FDG6332C-F085CT
488-FDG6332C-F085DKR
FDG6332C-F085FSDKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDG6332C-F085
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规格书
1(FDG6332C-F085)
视频文件
1(Driving Automotive Technology)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev LTB Ext 13/Jan/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Cancellation 09/Sep/2020)
PCN 封装
()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
HTML 规格书
1(FDG6332C-F085)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)
价格
-
替代型号
型号 : PMV65UNEAR
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