English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPU80R1K0CEAKMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPU80R1K0CEAKMA1
摘要
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
详情
通孔 N 通道 800 V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3-341
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
950 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
785 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3-341
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
IPU80R1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPU80R1K0CEAKMA1
SP001593928
INFINFIPU80R1K0CEAKMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPU80R1K0CEAKMA1
相关文档
规格书
1(IPx80R1K0CE)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Feb/2022)
HTML 规格书
1(IPx80R1K0CE)
价格
-
替代型号
型号 : IPU80R1K2P7AKMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥3.78862
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥3.78862
替代类型. : 类似
型号 : TK6Q65W,S1Q
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥9.44240
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥9.44240
替代类型. : 类似
型号 : FCU900N60Z
制造商 : onsemi
库存 : 1,701
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
库存 : 1,701
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
型号 : TK5Q60W,S1VQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥12.54173
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥12.54173
替代类型. : 类似