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GermanyISP12DP06NMXTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
ISP12DP06NMXTSA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 2.8A（Ta） 1.8W（Ta），4.2W（Tc） PG-SOT223-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 520µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
ISP12DP06
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-ISP12DP06NMXTSA1DKR
448-ISP12DP06NMXTSA1TR
448-ISP12DP06NMXTSA1CT
SP004987268
ISP12DP06NMXTSA1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies ISP12DP06NMXTSA1
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规格书
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PCN 组装/来源
1(OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022)
PCN 封装
()
EDA 模型
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价格
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替代型号
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