CSD19533KCS

元器件型号详细信息

原厂型号

CSD19533KCS

摘要

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

详情

通孔 N 通道 100 V 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3

原厂/品牌

Texas Instruments

原厂到货时间

6 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

10.5 毫欧 @ 55A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2670 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

188W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

CSD19533

其它名称

-CSD19533KCS-NDR

296-37482-5INACTIVE

296-37482-5-NDR

-CSD19533KCSINACTIVE

296-37482-5

CSD19533KCS-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19533KCS

价格

数量: 10000

单价: $5.97395
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 5000

单价: $6.13116
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $6.367
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $6.83859
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $8.25342
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $10.0455
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $12.497
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $13.91
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IXTP130N10T

制造商 : IXYS
库存 : 43
单价. : ¥30.29000
替代类型. : 类似

型号 : IPP114N12N3GXKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 38
单价. : ¥19.32000
替代类型. : 类似

型号 : FDP090N10

制造商 : onsemi
库存 : 12,388
单价. : ¥28.94000
替代类型. : 类似

型号 : IXFP130N10T2

制造商 : IXYS
库存 : 6
单价. : ¥42.85000
替代类型. : 类似

型号 : FDP100N10

制造商 : onsemi
库存 : 800
单价. : ¥29.26000
替代类型. : 类似

型号 : FDP085N10A-F102

制造商 : onsemi
库存 : 1,944
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似

型号 : STP120NF10

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 20,148
单价. : ¥38.32000
替代类型. : 类似

型号 : IRFB4410ZPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,417
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似

型号 : SUP70090E-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 56
单价. : ¥24.33000
替代类型. : 类似

ADUC7032BSTZ-8V-RL CA3106E18-3PZB 630-M15-240-BT4 RC1218JK-074K7L MTSW-132-10-T-S-600

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