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GermanyTPH3205WSBQA
元器件型号详细信息
原厂型号
TPH3205WSBQA
摘要
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 35A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
管件
Product Status
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
62 毫欧 @ 22A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TPH3205
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TPH3205WSBQA
相关文档
规格书
()
产品培训模块
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
视频文件
()
HTML 规格书
()
仿真模型
1(TPH3205WSB(QA) Spice Model)
价格
数量: 1
单价: $174.34
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : TP65H050WSQA
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