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GermanyNTLJS3D9N03CTAG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTLJS3D9N03CTAG
摘要
MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 10.3A（Ta） 860mW（Ta） 6-PQFN（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4，9毫欧 @ 10A，4，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1565 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
860mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）
封装/外壳
6-PowerWDFN
基本产品编号
NTLJS3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2832-NTLJS3D9N03CTAGTR
488-NTLJS3D9N03CTAGTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTLJS3D9N03CTAG
相关文档
规格书
1(NTLJS3D9N03C)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 01/Oct/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly 24/Nov/2020)
HTML 规格书
1(NTLJS3D9N03C)
价格
-
替代型号
-