FDD14AN06LA0-F085

元器件型号详细信息

原厂型号

FDD14AN06LA0-F085

摘要

MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 9.5A（Ta），50A（Tc） 125W（Tc） TO-252AA

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9.5A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

11.6 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

32 nC @ 5 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2810 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

125W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

FDD14AN06

其它名称

FDD14AN06LA0_F085DKR

FDD14AN06LA0_F085DKR-ND

FDD14AN06LA0_F085TR

FDD14AN06LA0_F085-ND

FDD14AN06LA0-F085CT

FDD14AN06LA0_F085CT

FDD14AN06LA0_F085

FDD14AN06LA0_F085TR-ND

FDD14AN06LA0-F085DKR

FDD14AN06LA0-F085TR

FDD14AN06LA0_F085CT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDD14AN06LA0-F085

价格

-

替代型号

型号 : NP52N055SUG-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : STD70N6F3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.61000
替代类型. : 类似

型号 : IRLR2905ZTRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 196
单价. : ¥8.59000
替代类型. : 类似

型号 : AUIRFR3806TRL

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 570
单价. : ¥17.65000
替代类型. : 类似

型号 : SQD40N06-25L-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

DC0036/02-PC99-0.06 333-018-542-812 DL68G-14-7P10-6106 1977-4314-AL 1812JA250221JCRSY2

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