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GermanySNXH80T120L2Q0P2G
元器件型号详细信息
原厂型号
SNXH80T120L2Q0P2G
摘要
IC MODULE PIM 1200V 80A
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1200 V 67 A 158 W 底座安装 20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三级反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
67 A
功率 - 最大值
158 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.85V @ 15V，80A
电流 - 集电极截止（最大值）
300 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
19.4 nF @ 20 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
基本产品编号
SNXH80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi SNXH80T120L2Q0P2G
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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
价格
-
替代型号
型号 : NXH80T120L2Q0P2G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥440.54958
替代类型. : MFR Recommended
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