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GermanySQJ912AEP-T1_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQJ912AEP-T1_GE3
摘要
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
详情
MOSFET - 阵列 40V 30A 48W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3m옴 @ 9.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1835pF @ 20V
功率 - 最大值
48W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号
SQJ912
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQJ912AEP-T1_GE3DKR
SQJ912AEP-T1-GE3-ND
SQJ912AEP-T1-GE3
SQJ912AEP-T1_GE3-ND
SQJ912AEP-T1_GE3CT
SQJ912AEP-T1_GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SQJ912AEP-T1_GE3
相关文档
规格书
1(SQJ912AEP)
特色产品
1(SQJ264EP 60 V MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devs 18/Jun/2021)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQJ912AEP)
价格
-
替代型号
型号 : SQJ912DEP-T1_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 直接