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GermanyBUZ30AH3045AATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BUZ30AH3045AATMA1
摘要
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
BUZ30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BUZ30AL3045AINTR-ND
BUZ30AH3045AATMA1CT
BUZ30AL3045AINDKR-ND
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT-ND
BUZ30A H3045A
BUZ30AH3045AINTR-ND
INFINFBUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AL3045AINTR
BUZ30AH3045AINTR
2156-BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1DKR
BUZ30AH3045AINDKR-ND
BUZ30A L3045A
BUZ30AH3045AATMA1TR
BUZ30AL3045AINCT
SP000736082
BUZ30AH3045AINCT
SP000102176
BUZ30A L3045A-ND
BUZ30AL3045AXT
BUZ30AL3045AINDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1
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HTML 规格书
1(BUZ30A H3045A)
价格
-
替代型号
型号 : IRFB4620PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,564
单价. : ¥21.23000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥21.23000
替代类型. : 类似
型号 : FQB19N20LTM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 直接
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