English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPW60R180C7XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPW60R180C7XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
详情
通孔 N 通道 600 V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO247-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ C7
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1080 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW60R180
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001296232
448-IPW60R180C7XKSA1
IPW60R180C7XKSA1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPW60R180C7XKSA1
相关文档
规格书
1(IPW60R180C7)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 3/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IPW60R180C7)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V C7 Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $17.87206
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $18.81273
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $22.30648
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $26.2037
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $31.982
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $35.62
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STW31N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 6
单价. : ¥39.67000
替代类型. : 类似
库存 : 6
单价. : ¥39.67000
替代类型. : 类似