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GermanyNXH350N100H4Q2F2PG
元器件型号详细信息
原厂型号
NXH350N100H4Q2F2PG
摘要
IC MODULE PIM 350A 1000V
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 303 A 592 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK（93x47）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三级反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
303 A
功率 - 最大值
592 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.8V @ 15V，375A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
24.146 nF @ 20 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
42-PIM/Q2PACK（93x47）
基本产品编号
NXH350
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NXH350N100H4Q2F2PG
2832-NXH350N100H4Q2F2PG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi NXH350N100H4Q2F2PG
相关文档
规格书
1(NXH350N100H4Q2F2)
视频文件
1(Energy Infrastructure | Solutions for Solar Inverters)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 09/Oct/2020)
价格
-
替代型号
型号 : NXH350N100H4Q2F2P1G
制造商 : onsemi
库存 : 36
单价. : ¥2,040.74000
替代类型. : 直接
库存 : 36
单价. : ¥2,040.74000
替代类型. : 直接