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GermanyBSS209PW L6327
元器件型号详细信息
原厂型号
BSS209PW L6327
摘要
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 580mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
580mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
550 毫欧 @ 580mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 3.5µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.38 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
89.9 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT323
封装/外壳
SC-70，SOT-323
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSS209PW L6327-ND
BSS209PWL6327
SP000245422
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSS209PW L6327
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价格
-
替代型号
-