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GermanySM8S11-E3/2D
元器件型号详细信息
原厂型号
SM8S11-E3/2D
摘要
TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO218AB
详情
20.1V 夹子 328A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
PAR®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
类型
齐纳
单向通道
1
电压 - 反向断态（典型值）
11V
电压 - 击穿（最小值）
12.2V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
20.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)
328A
功率 - 峰值脉冲
6600W（6.6kW）
电源线路保护
无
应用
通用
不同频率时电容
-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-218AB
供应商器件封装
DO-218AB
基本产品编号
SM8S11
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /电路保护/瞬态电压抑制器（TVS）/TVS 二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM8S11-E3/2D
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规格书
1(SM8S10 thru SM8S43A)
HTML 规格书
1(SM8S10 thru SM8S43A)
价格
-
替代型号
型号 : 1N4740E3/TR13
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥6.43942
替代类型. : 类似
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