元器件型号详细信息

原厂型号
FQB30N06LTM
摘要
MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 32A(Tc) 3.75W(Ta),79W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
35 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1040 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.75W(Ta),79W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
FQB30N06

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FQB30N06LTMDKR
FQB30N06LTMTR
FQB30N06LTM-ND
FQB30N06LTMCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FQB30N06LTM

相关文档

规格书
1(FQB30N06L)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Multiple Parts 23/Jun/2022)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FQB30N06LTM by Ultra Librarian)

价格

数量: 800
单价: $6.12476
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 1
单价: $10.65
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.65
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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