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GermanyFGD3N60LSDTM-T
元器件型号详细信息
原厂型号
FGD3N60LSDTM-T
摘要
INTEGRATED CIRCUIT
详情
IGBT 600 V 6 A 40 W 表面贴装型 TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
25 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.5V @ 10V，3A
功率 - 最大值
40 W
开关能量
250µJ（开），1mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
12.5 nC
25°C 时 Td（开/关）值
40ns/600ns
测试条件
480V，3A，470 欧姆，10V
反向恢复时间 (trr)
234 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252AA
基本产品编号
FGD3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSFGD3N60LSDTM-T
2156-FGD3N60LSDTM-T
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGD3N60LSDTM-T
相关文档
规格书
1(FGD3N60LSD)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018)
价格
-
替代型号
型号 : STGD10NC60KDT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 直接