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GermanyATP202-TL-H
元器件型号详细信息
原厂型号
ATP202-TL-H
摘要
MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1650 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
ATPAK
封装/外壳
ATPAK（2 引线 + 凸片）
基本产品编号
ATP202
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
869-1078-2
869-1078-1
ONSONSATP202-TL-H
2156-ATP202-TL-H-OS
869-1078-6
ATP202TLH
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi ATP202-TL-H
相关文档
规格书
1(ATP202)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(Lead Frame Material Update 09/Apr/2014)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Site Addition 23/Dec/2014)
HTML 规格书
1(ATP202)
价格
-
替代型号
型号 : FDD6690A
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