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GermanySI4888DY-T1-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI4888DY-T1-E3
摘要
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
SI4888
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI4888DYT1E3
SI4888DY-T1-E3DKR
SI4888DY-T1-E3TR
SI4888DY-T1-E3-ND
SI4888DY-T1-E3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI4888DY-T1-E3
相关文档
规格书
1(SI4888DY)
PCN 产品变更/停产
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
PCN 组装/来源
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(SI4888DY)
价格
-
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