SSM3J35MFV,L3F

元器件型号详细信息

原厂型号

SSM3J35MFV,L3F

摘要

MOSFET P-CH 20V 100MA VESM

详情

表面贴装型 P 通道 20 V 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM

原厂/品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

8,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

8 欧姆 @ 50mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

12.2 pF @ 3 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

150mW（Ta）

工作温度

150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

VESM

封装/外壳

SOT-723

基本产品编号

SSM3J35

其它名称

SSM3J35MFVL3F(T

SSM3J35MFVTL3T

SSM3J35MFV(TL3,T)

SSM3J35MFV(TL3T)DKR-ND

SSM3J35MFV,L3F(T

SSM3J35MFVL3FCT

SSM3J35MFV(TL3T)TR-ND

SSM3J35MFVL3FTR

SSM3J35MFV(TL3T)TR

SSM3J35MFVL3F(B

SSM3J35MFV(TL3T)DKR

SSM3J35MFVL3FDKR

SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND

SSM3J35MFV,L3F(B

SSM3J35MFVL3F

SSM3J35MFV(TL3T)CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F

价格

数量: 8000

单价: $0.28381
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000

数量: 2000

单价: $0.32639
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $0.36188
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $0.53216
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $0.8085
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $1.526
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $1.83
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $0.32639
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $0.36188
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $0.53216
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $0.8085
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $1.526
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $1.83
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

UCC283TDKTTT-ADJ TMM-150-02-L-D HPF-04-02-T-S-LC-K-TR CPS19-NC00A10-SNCCWTNF-AI0CGVAR-W1003-S M55342K04B33G0RT3V

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