English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBSL302SNL6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSL302SNL6327HTSA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 7.1A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
750 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSOP6-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
BSL302
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSL302SN L6327
BSL302SN L6327INTR-ND
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
BSL302SN L6327INCT
BSL302SNL6327HTSA1CT
BSL302SN L6327-ND
BSL302SNL6327HTSA1DKR
BSL302SN L6327INDKR
BSL302SNL6327HTSA1TR
BSL302SN L6327INTR
SP000257783
BSL302SN L6327INDKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSL302SNL6327HTSA1
相关文档
规格书
1(BSL302SN)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 03/Dec/2013)
HTML 规格书
1(BSL302SN)
价格
-
替代型号
型号 : FDC655BN
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.90000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥3.90000
替代类型. : 类似
型号 : DMG6402LVT-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 9,400
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 类似
库存 : 9,400
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 类似
型号 : STT6N3LLH6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,367
单价. : ¥6.04000
替代类型. : 类似
库存 : 3,367
单价. : ¥6.04000
替代类型. : 类似
型号 : SI3442BDV-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 33,085
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似
库存 : 33,085
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似