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GermanyPSMN1R6-30PL,127
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN1R6-30PL,127
摘要
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详情
通孔 N 通道 30 V 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
212 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12493 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
306W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
568-4900-5
934063916127
568-4900-5-ND
1727-4269
2156-PSMN1R6-30PL,127-1727
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30PL,127
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1(TO220 with Trench 6 MOSFETs)
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1(Mult Dev EOL 03/Jul/2019)
PCN 设计/规格
1(Logo Marking Update 30/Nov/2016)
PCN 封装
()
HTML 规格书
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价格
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