元器件型号详细信息

原厂型号
SI3442CDV-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 8A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
27 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
335 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta),2.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本产品编号
SI3442

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI3442CDV-T1-GE3DKR
SI3442CDV-T1-GE3TR
SI3442CDV-T1-GE3CT
SI3442CDVT1GE3

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI3442CDV-T1-GE3

相关文档

规格书
1(Si3442CDV)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
HTML 规格书
1(Si3442CDV)

价格

-

替代型号

型号 : SI3456DDV-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 107,731
单价. : ¥3.42000
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制造商 : onsemi
库存 : 10,905
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型号 : FDC637BNZ
制造商 : onsemi
库存 : 584
单价. : ¥3.58000
替代类型. : 类似
型号 : RQ6E045TNTR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,295
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制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥5.96000
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制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
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库存 : 5,927
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型号 : RQ6E045SNTR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 3,000
单价. : ¥5.01000
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型号 : STT5N2VH5
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库存 : 12,000
单价. : ¥4.77000
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