元器件型号详细信息

原厂型号
STGWT15H60F
摘要
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 30 A 115 W 通孔 TO-3P
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
H
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V,15A
功率 - 最大值
115 W
开关能量
136µJ(开),207µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
81 nC
25°C 时 Td(开/关)值
24.5ns/118ns
测试条件
400V,15A,10 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
基本产品编号
STGWT15

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGWT15H60F

相关文档

规格书
1(STGWT15H60F Datasheet)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev 7/Apr/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(New molding compound 11/Jul/2019)
HTML 规格书
1(STGWT15H60F Datasheet)
仿真模型
1(STGWT15H60F PSpice Model)

价格

-

替代型号

型号 : STGP15H60DF
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥17.25000
替代类型. : 类似