元器件型号详细信息

原厂型号
IPD65R650CEAUMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 7A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CE
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
650 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
86W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD65R650

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPD65R650CEAUMA1DKR
IPD65R650CEAUMA1-ND
IPD65R650CEAUMA1CT
IPD65R650CEAUMA1TR
SP001396908

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD65R650CEAUMA1

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价格

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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
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