BSP125H6327XTSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

BSP125H6327XTSA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

45 欧姆 @ 120mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 94µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

6.6 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

150 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

1.8W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT223-4

封装/外壳

TO-261-4，TO-261AA

基本产品编号

BSP125

其它名称

SP001058576

BSP125H6327XTSA1TR

BSP125H6327XTSA1CT

BSP125H6327XTSA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP125H6327XTSA1

价格

数量: 25000

单价: $2.52915
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 10000

单价: $2.59571
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 5000

单价: $2.69554
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $2.8952
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $3.19475
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $3.9934
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.0514
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.59
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.47
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.9934
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.0514
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.59
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.47
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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ISA16-32AH-28.63636MHZ 8.61E+11 1812GA151KAT1AJ ATS-07A-45-C3-R0 7-1971798-2

BSP125H6327XTSA1

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