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GermanyVS-C08ET07T-M3
元器件型号详细信息
原厂型号
VS-C08ET07T-M3
摘要
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
详情
二极管 650 V 8A 通孔 TO-220AC
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 8 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
45 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
355pF @ 1V，1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2
供应商器件封装
TO-220AC
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
C08ET07
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C08ET07T-M3
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规格书
1(VS-C08ET07T-M3)
特色产品
1(650 V Silicon Carbide Schottky Diodes)
PCN 产品变更/停产
1(VS-CxxxP07L-M3 obs 16/Aug/2022)
HTML 规格书
1(VS-C08ET07T-M3)
价格
-
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