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GermanyRGW50TK65DGVC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGW50TK65DGVC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 67 W 通孔 TO-3PFM
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
450
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，25A
功率 - 最大值
67 W
开关能量
390µJ（开），430µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
73 nC
25°C 时 Td（开/关）值
35ns/102ns
测试条件
400V，25A，10欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
92 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装
TO-3PFM
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
846-RGW50TK65DGVC11TR-ND
846-RGW50TK65DGVC11DKR
846-RGW50TK65DGVC11DKR-ND
846-RGW50TK65DGVC11CT-ND
846-RGW50TK65DGVC11
846-RGW50TK65DGVC11TR
846-RGW50TK65DGVC11CTINACTIVE
846-RGW50TK65DGVC11DKRINACTIVE
846-RGW50TK65DGVC11CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGW50TK65DGVC11
相关文档
规格书
1(RGW50TK65DGVC11)
产品培训模块
()
特色产品
1(GWxx65C Series Hybrid IGBTs with Built-In SiC Diode)
价格
数量: 1000
单价: $27.30682
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $32.0327
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $37.6286
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $45.925
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $51.12
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-