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GermanyBST82,215
元器件型号详细信息
原厂型号
BST82,215
摘要
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 190mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830mW（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
BST82
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
568-6229-6-ND
568-6229-2
568-6229-2-ND
BST82 T/R
568-6229-1
568-6229-1-ND
1727-4937-2
1727-4937-6
BST82,215-ND
1727-4937-1
BST82 T/R-ND
933733110215
568-6229-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. BST82,215
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1(BST82)
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HTML 规格书
1(BST82)
EDA 模型
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价格
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