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元器件型号详细信息
原厂型号
HP8M31TB1
摘要
HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
详情
MOSFET - 阵列 60V 8.5A（Ta） 3W（Ta） 表面贴装型 8-HSOP
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65mOhm @ 8.5A，10V，70mOhm @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.3nC @ 10V，38nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470pF @ 30V，2300pF @ 30V
功率 - 最大值
3W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-HSOP
基本产品编号
HP8M31
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
HP8M31TB1DKR
HP8M31TB1TR
HP8M31TB1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor HP8M31TB1
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价格
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