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GermanyHUF76639S3S
元器件型号详细信息
原厂型号
HUF76639S3S
摘要
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 51A（Tc） 180W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
UltraFET™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 51A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
180W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
HUF76
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi HUF76639S3S
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规格书
1(HUF76639P3, HUF76639S3S)
环保信息
()
HTML 规格书
1(HUF76639P3, HUF76639S3S)
价格
-
替代型号
型号 : IXTA64N10L2
制造商 : IXYS
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型号 : AOB414
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型号 : PSMN027-100BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
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型号 : BUK9629-100B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,283
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型号 : PSMN034-100BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 6,324
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型号 : PHB47NQ10T,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,400
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型号 : PSMN016-100BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥13.28000
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型号 : BUK7626-100B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,093
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型号 : STB40NF10LT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥24.33000
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