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GermanyIGD10N65T6ARMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGD10N65T6ARMA1
摘要
IGD10N65T6ARMA1
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 23 A 75 W 表面贴装型 PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
23 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
42.5 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，8.5A
功率 - 最大值
75 W
开关能量
200µJ（开），70µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
27 nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/106ns
测试条件
400V，8.5A，47 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
基本产品编号
IGD10N65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP004275478
448-IGD10N65T6ARMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IGD10N65T6ARMA1
相关文档
规格书
1(IGD10N65T6)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Lot No Add 11/Jan/2022)
PCN 其他
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
EDA 模型
1(IGD10N65T6ARMA1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $7.98798
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 3000
单价: $9.35984
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 500
单价: $9.64062
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $11.7344
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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最小包装数量: 1
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替代型号
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