English
Spain
Rusia
Italy
GermanyZVN3310ASTOB
元器件型号详细信息
原厂型号
ZVN3310ASTOB
摘要
MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
详情
通孔 N 通道 100 V 200mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳
E-Line-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
Q1030741
ZVN3310ASTOB-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZVN3310ASTOB
相关文档
规格书
1(ZVN3310A)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(ZVN3310A)
价格
-
替代型号
-