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20250414
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元器件资讯
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IXFN64N50P
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFN64N50P
摘要
MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
详情
底座安装 N 通道 500 V 61A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Polar
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
61A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
150 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
700W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
基本产品编号
IXFN64
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXFN64N50P
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规格书
1(IXFN64N50P)
HTML 规格书
1(IXFN64N50P)
价格
数量: 100
单价: $187.5382
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $219.616
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $238.1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STE53NC50
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 363
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