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GermanyNX3020NAKV,115
元器件型号详细信息
原厂型号
NX3020NAKV,115
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 200MA SOT666
详情
MOSFET - 阵列 30V 200mA 375mW 表面贴装型 SOT-666
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.44nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13pF @ 10V
功率 - 最大值
375mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-666
基本产品编号
NX3020
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-NX3020NAKV,115-NEX
568-10507-2-ND
NEXNEXNX3020NAKV,115
568-10507-6-ND
568-10507-1-ND
NX3020NAKV,115-ND
568-10507-6
568-10507-2
568-10507-1
934067068115
1727-1287-6
1727-1287-1
1727-1287-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. NX3020NAKV,115
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规格书
1(Nx3020NAKV115 Datasheet)
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HTML 规格书
1(Nx3020NAKV115 Datasheet)
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制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
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