元器件型号详细信息

原厂型号
SQD100N03-3M4_GE3
摘要
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 100A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
124 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7349 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
SQD100

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SQD100N03-3M4_GE3-ND
SQD100N03-3M4_GE3TR
SQD100N03-3M4_GE3CT
SQD100N03-3M4_GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SQD100N03-3M4_GE3

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规格书
1(SQD100N03-3M4)
HTML 规格书
1(SQD100N03-3M4)

价格

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