元器件型号详细信息

原厂型号
IPB110N06L G
摘要
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 78A(Tc) PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带(CT)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
78A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧 @ 78A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 94µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
79 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2700 pF @ 30 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB110N

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPB110N06LGINCT
IPB110N06LGINDKR
IPB110N06L G-ND
IPB110N06LGXT
SP000204193
IPB110N06LGINTR
IPB110N06LG

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB110N06L G

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1(IPB,IPP110N06L G)

价格

-

替代型号

型号 : STB140NF55T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,227
单价. : ¥29.41000
替代类型. : 类似