SPB07N60C3ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPB07N60C3ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 4.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 350µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

27 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

790 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

SPB07N

其它名称

SPB07N60C3XT-ND

SPB07N60C3

SPB07N60C3ATMA1CT

SPB07N60C3XT

SPB07N60C3INTR-ND

SPB07N60C3INTR

SPB07N60C3INCT-ND

SP000013518

SPB07N60C3ATMA1TR

SPB07N60C3INCT

SPB07N60C3ATMA1DKR

SPB07N60C3INDKR-ND

SPB07N60C3INDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB07N60C3ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPB60R360P7ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥16.77000
替代类型. : 类似

型号 : STB11NM80T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥63.12000
替代类型. : 直接

型号 : R6007ENJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似

型号 : STB14NK60ZT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似

型号 : R6009KNJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 20
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA8N65X2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥26.31000
替代类型. : 类似

型号 : STB10N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似

型号 : R6009ENJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 类似

型号 : STB13NK60ZT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 867
单价. : ¥34.02000
替代类型. : 类似

型号 : R6007KNJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 17
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似

095-850-186-300 CPS19-LA00A10-SNCSNCNF-RI0WCVAR-W1009-S MAX6343MUT+T 801-011-07M6-4PA GT5-4S-HU

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