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GermanyBSO303SPHXUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSO303SPHXUMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 9.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-DSO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSO303SP HCT
BSO303SP HDKR-ND
BSO303SP H
BSO303SPH
BSO303SPHXUMA1CT
BSO303SP HCT-ND
BSO303SPHXUMA1DKR
2156-BSO303SPHXUMA1
BSO303SP HTR-ND
BSO303SPHXUMA1TR
IFEINFBSO303SPHXUMA1
BSO303SP H-ND
SP000613848
BSO303SP HDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSO303SPHXUMA1
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1(BSO303SP H)
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价格
-
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