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GermanyRSJ10HN06TL
元器件型号详细信息
原厂型号
RSJ10HN06TL
摘要
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Ta） 100W（Tc） LPTS
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
202 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11000 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LPTS
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
RSJ10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
RSJ10HN06TLDKR
RSJ10HN06TLTR
RSJ10HN06TLCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RSJ10HN06TL
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规格书
1(RSJ10HN06 ~)
PCN 产品变更/停产
1(OBS Notification 14/Dec/2015)
价格
-
替代型号
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