FDD8882

元器件型号详细信息

原厂型号

FDD8882

摘要

MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 12.6A（Ta），55A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

12.6A（Ta），55A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

11.5 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

33 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1260 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

55W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

FDD888

其它名称

FDD8882DKR

ONSONSFDD8882

FDD8882TR

FDD8882-ND

2156-FDD8882-OS

FDD8882CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDD8882

价格

数量: 100

单价: $4.5473
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $5.931
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.76
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.5473
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $5.931
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.76
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : NTD4813NHT4G

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥1.79099
替代类型. : 类似

型号 : BUK9214-30A,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 38,687
单价. : ¥11.45000
替代类型. : 类似

型号 : IPD135N03LGATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 11,261
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似

型号 : STD100N3LF3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 489
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似

型号 : IPD30N03S4L14ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,750
单价. : ¥7.79000
替代类型. : 类似

型号 : IPD70N03S4L04ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,960
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似

345-032-558-107 ESC25DRTH-S13 IALHK111-40007-15 HTSW-216-11-S-T BKT-165-01-L-V-A-P-TR

FDD8882

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