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GermanyGB35XF120K
元器件型号详细信息
原厂型号
GB35XF120K
摘要
IGBT MODULE 1200V 50A 284W
详情
IGBT 模块 NPT 三相反相器 1200 V 50 A 284 W 底座安装
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
产品状态
停产
IGBT 类型
NPT
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
功率 - 最大值
284 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.475 nF @ 30 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
ECONO2
供应商器件封装
-
基本产品编号
GB35
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K
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规格书
1(GB35XF120K)
HTML 规格书
1(GB35XF120K)
价格
-
替代型号
-