元器件型号详细信息

原厂型号
DMG3414UQ-13
摘要
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 4.2A(Ta) 780mW SOT-23-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
25 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 8.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
829.9 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
780mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
DMG3414

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMG3414UQ-13

相关文档

规格书
1(DMG3414UQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(DMG3414UQ)

价格

数量: 100000
单价: $0.77714
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 50000
单价: $0.78532
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 30000
单价: $0.816
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 10000
单价: $0.88963
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000

替代型号

型号 : DMG3414UQ-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 2,914
单价. : ¥3.58000
替代类型. : 参数等效
型号 : STR2N2VH5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 83,546
单价. : ¥8.98000
替代类型. : 类似
型号 : TSM250N02CX RFG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 407,006
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似
型号 : TSM210N02CX RFG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 140,071
单价. : ¥6.28000
替代类型. : 类似
型号 : SI2314EDS-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 106,823
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似
型号 : SI2374DS-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 940
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 类似